英特爾搶攻先進封裝 採新材料改善晶片互連

MoneyDJ新聞 2024-12-10 09:10:05 記者 王怡茹 報導

英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議(IEDM)上公佈了新的突破，有助於推動半導體產業邁向下一個十年及更長遠的未來。英特爾晶圓代工展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕(subtractive Ruthenium)提升電晶體容量達25%。

英特爾晶圓代工使用先進封裝的異質整合解決方案，首次讓吞吐量提高了100倍，實現超快速晶片對晶片組裝。為了進一步推動環繞式閘極(GAA)微縮，英特爾晶圓代工也展示了矽RibbonFET CMOS和用於微縮2D FET閘極氧化物模組的工作成果，可提高元件效能。

英特爾晶圓代工資深副總裁暨元件研究部總經理Sanjay Natarajan表示，英特爾晶圓代工持續定義和擘劃半導體產業的發展藍圖，最新突破也彰顯了英特爾致力於開發領先技術的承諾。在美國《晶片法案》(U.S. CHIPS Act.)的支持下，英特爾將持續協助提升全球供應鏈的平衡。

隨著半導體產業目標於2030年在單晶片容納1兆個電晶體，以電晶體和互連微縮的突破，搭配未來的先進封裝能力，對於講求能源效率、高效能和更具成本效益的AI應用至關重要。

英特爾指出，半導體產業需要新的材料，冀提升英特爾晶圓代工的PowerVia晶片背部供電解決方案，緩解互連密度和持續微縮的壓力，而這也是延續摩爾定律並推動半導體進入AI時代的關鍵。