MoneyDJ新聞 2025-02-18 12:01:26 記者 郭妍希 報導
市場謠傳，三星電子(Samsung Electronics Co.)副會長兼集團裝置解決方案(DS)部門負責人全永鉉(Young Hyun Jun)，最近親自前往輝達(Nvidia Corp.)美國總部，向該公司展示用於高頻寬記憶體(HBM)的1b製程DRAM樣本。
南韓媒體TheElec 18日引述未具名消息人士報導，輝達去(2024)年曾要求三星改善其1b DRAM設計，新樣本就是三星改造的成果。三星DS部門負責人鮮少會親自向客戶展示樣本。
三星去年雖嘗試以1b DRAM生產HBM，卻遭遇良率及過熱問題。這款DRAM主要用於HBM3E，因為上述問題，三星原本想改用上一代1a DRAM來製造8層及12層堆疊的HBM3E，然後直接跳過1b DRAM ，以1c DRAM搭配HBM4。
然而，輝達希望三星還是要使用1b DRAM，因此三星再度改變作法。全永鉉親自訪美，可能是要確保三星能順利拿下輝達HBM3E訂單。
相較之下，競爭對手SK海力士(SK Hynix)早就開始供應搭配1b DRAM的12層HBM3E，美光(Micron)預料也會開始生產輝達想要的HBM。
輝達執行長黃仁勳(Jensen Huang)先前就曾透露，三星必須「重新進行設計」(has to engineer a new design)才能通過輝達對其HBM的驗證程序。
黃仁勳1月7日在拉斯維加斯消費電子展(CES)舉行的記者會上表示，「三星必須重新設計，但他們可以做到、且工作速度飛快。」「韓國人非常沒耐心，這是好事。輝達使用的第一款HBM其實是三星創造的。他們勢必能重振旗鼓。」
(圖片來源：shutterstock)
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