漢磊科技股份有限公司

(一)公司簡介

1.沿革與背景

漢磊科技股份有限公司前身為漢磊先進投資控股股份有限公司轉投資公司之一，2014年3月12日宣布進行轉型及組織重整，透過新成立的漢磊投控以股份轉換方式，將漢磊全部發行持股轉換為漢磊投控，漢磊於2014年10月1日成為漢磊投控持股100%子公司。

漢磊董事會於2014年12月15日通過將公司分為晶圓與磊晶兩大事業，分別為漢磊科技與漢磊半導體晶圓股份有限公司。2016年1月11日漢磊半導體與嘉晶合併，合併後以嘉晶為存續公司、漢磊半導體為消滅公司。

2021年9月1日漢磊投控與漢磊科技完成合併，公司名稱於2021年11月15日由漢磊先進投資控股股份有限公司更為現名。

世界先進於2024年9月以24.8億元取得漢磊13%股權並簽訂策略合作協議，雙方將共同推動化合物半導體碳化矽(SiC)8吋晶圓技術研發與生產製造，由漢磊轉移相關技術，漢磊亦躋身泛台積電集團。

公司為磊晶供應商及專業晶圓代工廠，具備互補金屬半導體、功率半導體及線性半導體元件多樣化製程技術。

2.營業項目與產品結構

(1)磊晶及化合物半導體事業：矽磊晶片、埋藏層磊晶片、多層矽磊晶片、矽磊晶於Silicon on Insulator上(SOI)、GaN磊晶片、SiC磊晶片等產品。

(2)元件及積體電路事業：雙載子積體電路(Bipolar IC)、高功率場效電晶體(Power MOSFET)、混合型積體電路(邏輯元件)、FRD、TVS、SiC及GaN分離式元件等產品。

2023年營收比重為磊晶晶片55%、元件及積體電路代工44%、其他1%。

2024上半年產品技術平台比重為化合物功率元件49%、暫態電壓抑制器17%、車用MOSFET 14%、快速回復二極體3%、其他(Consumer MOSFET、SBD & CMOS)17%；產品應用比重為工業用44%、車用28%、消費性21%、綠能7%。

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

主要產品		用途
矽磊晶片(埋藏層磊晶片)		用於製造功率場效電晶體、小信號電晶體、快速回復二極體、互補式金氧半導體、超大型積體電路等元件之基本材料
多層矽磊晶片		用於製造超低電阻功率場效電晶體
矽磊晶於Silicon on Insulator上(SOI)		用於製造RF IC
GaN磊晶片		適合用於通訊、軍用、太空、高速高壓高電流功率應用
SiC磊晶片		適合用於高速超高壓高電流功率應用，如1200V應用
線性雙載子積體電路	標準類比雙載子製程技術(STD Linear Bipolar)	工作放大器、儀表轉換器、比較器、雙頻器的控制器(PWM Controller)及穏壓IC(Regulator)
	雙載子、二次擴散電晶體製程技術(BIDMOS)	交換式電源供應器、一般消費性電器產品
	雙載子互補式金氧製程技術(BICMOS)	高解析度電視(HDTV)、精確馬達、高密度硬式磁碟機等控制電路上
高功率場效電晶體(MOSFET)		應用於筆記型電腦、行動裝置產品、電視等背光源供應器產品、電源供應器及充電器產品
GaN高功率HEMT		應用於5G通訊基地台、不斷電網路工作站、以及工業用、太空用放大器
Gan高功率蕭特基二極體		適用於600V、1200V電能轉換時的DCDC、DCAC，特別適用太陽能、水力、電力公司的電能轉換
SiC高功率蕭特基二極體		適用於600V、1200V電能轉換時的DCDC、DCAC，特別適用太陽能、水力、電力公司的電能轉換
SiC高功率MOSFET		適用於600V、1200V電能轉換、電動車、油電混合車、電力系統充電樁
高功率快速恢復二極體		配合IGBT共用於AC110V、230V電磁爐，及AC380V工業馬達控制
TVS保護元件		應用於通訊界面靜電保護
絕緣開雙極性電晶體(IGBT)		主要應用於AC110V、230V電磁爐，及AC380V工業馬達控制
線性高壓積體電路	700V BCD製程	消費性掌上型電源電路家用路燈節能照明、工業馬達驅動
	700V HVIC製程	主要應用於AC110V、230V電源管理

2.重要原物料

公司產品主要原料為磊晶圓。

3.主要生產據點

公司廠房皆位於新竹科學園區，包含創新廠(4吋、5吋)、研新廠(6吋)、研發廠(6吋)。

(三)市場銷售及競爭

1.銷售狀況

2023年銷售區域比重為台灣31%、亞洲44%、美洲21%、其他4%。

2.國內外競爭廠商

晶圓代工方面，主要競爭對手包含聯電、旺宏、茂矽、敦南、元隆、Samsung、Intel等公司。