BiHEMT

BiHEMT(異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片)是以矽基的BiCMOS概念，由電路設計透過磊晶成長以及製程將InGaP HBT線性功率放大器、AlGaAs PHEMT高頻開關、低雜訊放大器(pHEMT)、偏壓電路及邏輯電路(pHEMT)整合成單一晶片。

 

BiHEMT的特色在於可使模組的體積縮小，由原本的2顆元件縮小至1顆，此外封裝成本也大為降低。由於砷化鎵磊晶(epi)進入門檻較高，全球供應商不多，且切入BiHEMT磊晶業者也佔少數。