嘉晶電子股份有限公司

(一)公司簡介

1.沿革與背景

嘉晶電子股份有限公司成立於1998年11月9日，總部位於新竹科學園區，為漢磊(3707)旗下磊晶矽晶圓廠，主要從事Si/SiC/GaN磊晶材料的研發、生產製造及銷售，2002年6月26日登錄興櫃，2002年12月24日轉上市。

2.營業項目與產品結構

公司主要供應分離式元件、Bipolar及Sensor之半導體製造廠所需之磊晶矽晶圓，以及半導體製造廠所需之埋藏層磊晶，產品包括4~8吋的磊晶，應用市場主要為分離式元件及晶圓代工。

2023年營收比重為磊晶晶片100%。

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

公司主要產品為矽磊晶片(Silicon Epitaxial Wafer)、埋藏層磊晶片(Buried Layer Epitaxial Wafer)、多層矽磊晶片(Multi-Layer Epitaxial Wafer)、氮化鎵磊晶片(GaN Epitaxial Wafer)、碳化矽磊晶片(SiC Epitaxial Wafer)，應用於高功率場效電晶體(Power MOSFET)、二極體(Diodes)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、電源管理IC(PMIC)等功率元件之生產的基本材料，終端應用於消費性電子、汽車電子、工業控制、電信通訊及電腦等產品。

主要產品	功能	用途
矽磊晶片(埋藏層磊晶片)	可提高崩潰電壓，保持電晶體的快速反應時間	用於製造功率場效電晶體、小信號電晶體、快速回復二極體、互補式金氧半導體、超大型積體電路等元件之基本材料
多層矽磊晶片	達到超低MOSFET導通電阻	用於製造超低電阻功率場效電晶體
矽磊晶於Silicon on Insulator上(SOI)	高速度元件	用於製造RF IC
GaN磊晶片	可提高崩潰電壓，10倍優於矽晶片；提高操作頻率	適合用於通訊、軍用、太空、高速高壓高電流功率應用
SiC磊晶片	可提高崩潰電壓，更優於Gan晶片；降低導通电阻	適合用於高速超高壓高電流功率應用，如1200V應用

2.重要原物料

主要原物料為矽晶圓等。

3.主要生產據點

公司廠房皆位於新竹科學園區，包含篤行廠、創新廠、磊新廠。

(三)市場銷售及競爭

1.銷售狀況

2023年銷售區域比重為台灣46%、日本35%、中國大陸5%、其他14%。

2.國內外競爭廠商

競爭廠商包含中德、ShinEtsu、SUMCO、Siltronic AG及MEMC等公司。

(四)財務相關

1.併購

公司於2015年宣布與漢磊半導體晶圓股份有限公司合併，以利雙方資源整合，並擴大營運規模。換股比例為嘉晶普通股1.867876股換發漢磊普通股1股，合併後將以嘉晶為存續公司、漢磊半導體晶圓為消滅公司，合併基準日為2016年1月11日。