氮化鎵上矽（GaN-on-Si）

LED磊晶生成大多係採用藍寶石基板或碳化矽基板做材料，但藍寶石基板與碳化矽基板成本較高，並且加工困難，導致以藍寶石基板和碳化矽基板生產的LED照明產品，尚無法普及。

LED磊晶在直徑大、成本低廉的矽晶圓上長成氮化鎵，並採用與現代半導體生產線相容的製程，其成本會比現有製程減少75%。以氮化鎵上矽晶圓製作的暖白光LED可提供125 Lm/W（流明/瓦）的效能，色溫為2940K（數字越大越偏藍），演色性指數（CRT）則是80％。此種LED擁有極低的運作電壓，350mA（毫安培）電流的電壓只有2.85伏特，因此非常適用於高電流密度環境。

由於氮化鎵的熱膨脹係數遠大過矽，這種不協調的狀況可能會在晶膜成長時或室溫下導致磊晶膜破裂或晶圓彎曲變形。如何在矽晶圓生成無裂痕氮化鎵層，並且不會在室溫下彎曲變形，將是未來能否成功的技術挑戰。