英特磊科技股份有限公司

(一)公司簡介

1.沿革與背景

英特磊科技股份有限公司(IET-KY)於2011年4月26日在開曼群島設立，營運主體位於美國德州，為全球磷化銦、銻化鎵磊晶片代工領導廠，採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，具有基板到磊晶的垂直整合技術能力，提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商業用途，以及太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用，2013年7月24日上櫃

2.營業項目與產品結構

公司主要產品包含GaAs pHEMTs(砷化鎵假型高電子遷移電晶體)、InP HBTs(磷化銦異質接面雙極電晶體)及銻化鎵(GaSb)紅外偵測器磊晶晶片。

2024年Q2產品營收比重為砷化鎵磊晶片36%、磷化銦磊晶片30%、銻化鎵及勞務收入30%、其他4%；產品應用比重為射頻(物聯網、航太、無線通訊)18%、汽車防撞及車用10%、光纖網路22%、高速傳輸元件23%、紅外線偵測24%、硬體構件3%。

產品圖：

圖片來源：公司法說會

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

主要產品	應用領域
砷化鎵(GaAs)磊晶片	・無線通訊射頻開關(switch)、無線區域網路(WLAN) ・雲端運算應用(VCSEL) ・資料儲存應用 ・夜視應用(QWIP) ・汽車防撞雷達、霍爾(Hall)效應偵測元件 ・光通訊應用(10G,40G,100G network) ・自駕車及手機測距及辨識(VCSEL)
磷化銦(InP)磊晶片	・功率放大器(PA) ・光纖通訊(FTTH)、高頻量測設備(InP HBT) ・資料傳輸應用 ・雲端運算應用(APD, PIN) ・低雜訊放大器(LNA) ・生物醫學應用
紅外線偵測器材料 銻化鎵(GaSb)磊晶片 銻化銦(InSb)基板	・夜視應用 ・衛星偵測 ・居家保全，國土監控應用 ・太空軍事應用 ・醫療診斷應用
氮化鎵(GaN)磊晶片	・高功率高頻射頻及功率電子

2.重要原物料

公司產品主要原料包含Substrates基板、III-V 族元素材料(Ga、In、Al、As、P、Sb)。

3.主要生產據點

公司生產基地位於美國德州。

(三)市場銷售及競爭

1.銷售狀況

2024年Q1銷售區域比重為美國62%、德國9%、中國2%、日本14%、韓國2%、其他11%。

2.國內外競爭廠商

以MBE技術而言，全球僅兩家專業MBE磊晶代工廠，包括IQE及英特磊。

主要產品	競爭廠商
HBT/MOCVD pHEMT/MBE pHEMT/MOCVD	全新、台灣高平磊晶、巨鎵科技、IQE、Soitec、Hitachi Cable
LD/MOCVD LD/MBE PD/MOCVD PD/MBE	全新、晶電、聯亞、華力捷、IQE、II-VI