HMC記憶體

HMC(Hybrid Memory Cube，混合記憶體立方體)2011年由全球記憶體大廠Micron及Samsung合作研發出新一代3D記憶體，以解決高效能電腦及網路設備對記憶體之頻寬需求。且創立HMC聯盟，其成員包含SK Hynix、ARM、IBM、HP等100多家企業。

HMC技術採用TSV技術堆疊多層DRAM晶片，其中，邏輯電路層為記憶體控制器，以超高頻寬匯流排與CPU連接。此技術提高記憶體之存儲密度及速度，頻寬達320GB/s，為DDR3標準的15倍，功耗及占用空間則分別減少70%及90%。HMC技術將應用於超級電腦等高性能領域，預計在2015~2016年進入消費市場。

其高速化之主因為採用TSV技術，可使端子數量達1000個，增加傳輸路徑。至於佈線距離方面，將水平改成垂直方向，將DRAM模組尺寸縮小到1個封裝大小，晶片間的距離縮短，且JMC及控制器亦進行3D積層，使得兩者的距離更為縮短。相較於現有DRAM模組大多將DRAM封裝平放，佈線距離則較遠。