化合物半導體

半導體可以分為元素半導體（矽、鍺等）與化合物半導體（GaAs、GaP、InP、AlGaAs等）兩類。其中化合物半導體是由鎵、銦、鋁等Ⅲ族及砷、磷等Ⅴ族元素化合物構成，其中以砷化鎵技術較成熟，應用也較廣，一般也慣用以GaAs來代替化合物半導體的名稱。

化合物半導體不同於矽半導體的性質主要有二：一是化合物半導體的電子遷移率較矽半導體快許多，因此適用於高頻傳輸，在無線通訊如手機、基地台、無線區域網路、衛星通訊、衛星定位等皆有應用；二是化合物半導體具備有效率的光電轉換特性，這是矽半導體沒有的，因此化合物半導體可運用在光電轉換的領域，如發光二極體（LED）、雷射二極體（LD）、光接收器（PIN）及太陽電池等產品。