Multi-Level Cell 晶片(MLC)
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Multi-Level Cell晶片（簡稱：MLC）即多層式儲存，是NAND型Flash的規格，最早是由英特爾(Intel)於1997年9月開發出來的產品，主要由東芝、Renesas、三星使用。
Nand Flash是Flash的一種技術規格， Nand Flash架構儲存容量較Nor Flash高。Nand Flash的容量較大，改寫速度快，主要應用在大量資料的儲存，目前主流規格容量為16G，往上更以高容量規格32G、64G、128G等，產品包括數位相機、MP3隨身聽的記憶卡等。
以 NAND 為基礎的 Flash 存在著兩種不同的作業模式MLC及SLC，最早被開發出來的是 MLC，採MLC(Multi-level cell)製程的NAND Flash在一個memory cell中可以儲存2位元的資料，與傳統存取1位元資料的SLC(Single-level cell)製程相比，容量大幅提昇。
MLC 可以一次將兩個位元的資訊存入一個 Floating Gate之中，Floating Gate就是快閃記憶體中用於存放電荷的部分。透過不同的電荷數量，MLC 能夠呈現出4種不同的存儲狀態，每種狀態代表兩個二進位數字值（00、01、10與11），由於這個特性稱為 Multi Level Cell，因為MLC的製程難度較高，良率不易提升，但採用MLC製程的NAND Flash製造成本可較SLC製程低。
惟MLC因此結構上的限制，使用壽命是SLC的十分之一，而且存取速度較慢，特別是當MLS由x2 --> x3 或 x4的技術時，速度落差更大，依目前的技術與架構，較難應用在SSD的產品上，將以隨身碟或記憶卡的市場為主要應用領域。
MLC與SLC Nand Flash比較：
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