愛普*報喜 高電容密度矽電容通過客戶驗證

MoneyDJ新聞 2024-03-15 16:34:55 記者 新聞中心 報導

愛普*的S-SiCapTM使用先進的堆疊式電容技術開發，相比傳統深溝式電容技術的電容密度更高、體積更小更薄，且具有極佳的溫度與電壓穩定性。S-SiCapTM Gen3的電容值密度可達2.5uF/mm2，操作電壓最高可支援1.2V，同時具有相當低的等效串聯電感及等效串聯電阻，在高頻操作下能提供優異的穩壓能力。

愛普*指出，S-SiCapTM具有超薄、客製化尺寸的特色，在先進封裝製程中，能滿足多樣整合應用並且與SoC更接近；例如，接腳側矽電容、封裝基板內埋矽電容、2.5D封裝應用矽電容、矽電容中介層等。

愛普*總經理洪志勳表示，在高階手機及HPC晶片的應用趨勢中，SoC需提供更高的效能，但同時可能會伴隨功耗增加、電壓不穩的情況，客戶為了穩定電壓，對電容規格的要求也會提高，優化產品整體表現；愛普*新一代S-SiCapTM Gen3超越傳統電容，電容密度更高、更薄、應用更多元，可搭配先進封裝製程大幅提升SoC效能，在目前市場上極具優勢。