MoneyDJ新聞 2024-06-20 11:52:11 記者 郭妍希 報導
韓媒分析，三星電子(Samsung Electronics Co.)的高頻寬記憶體(HBM)終將獲得輝達(Nvidia Corp.)認證，先進封裝的中介層(Interposer)短缺是主因。
南韓媒體《The Elec》20日報導，南韓當地有謠言直指，輝達要求三星更改HBM設計、恐進一步延遲供應時程。不過，有關報導在發出數小時後即遭刪除，三星也否認這項傳聞。
三星突然在5月撤換半導體部門負責人，分析人士相信，三星此舉很可能是為了在HBM等高階AI晶片追趕SK海力士(SK Hynix)等競爭對手。此後，市場就一直有三星無法獲得輝達認證的傳聞出現。
The Elec分析指出，台積電(2330)「CoWoS」先進封裝產能短缺，是輝達「H100」、「H200」生產遇瓶頸的主因。雖然台積電正在積極擴充CoWoS產能，封裝過程需要的矽中介層(silicon interposer)情況卻不同。
台積電由於產能短缺，決定轉向聯電(2303)等業者採購中介層，但這僅能解決短期內的問題。新的封裝技術，像是台積電的CoWoS-L (只在必要區域局部置入中介層)未來必須商業化，但其技術精密度等同前端製程。
The Elec直指，中介層供給短缺，很可能是輝達最終勢必得將部分訂單下給三星的理由。三星是少數幾家能夠自行設計、生產中介層的晶片製造商，該公司還同時擁有HBM、2.5D封裝產能。三星6月稍早也強調，該公司是唯一一家能同時提供記憶體、中介層、封裝等一站式服務的業者。
基於上述原因，The Elec相信，三星HBM遲早能獲得輝達認證，現在只是如何通關的問題罷了。
輝達執行長黃仁勳(Jensen Huang) 6月4日曾於台北國際電腦展(Computex)對記者表示，輝達正在檢驗三星及美光提供的HBM。他說，「我們只是需要完成工程方面的作業，目前還沒有。」「我原本希望昨天就能結束工作，但事與願違，我們需要耐心。」
被記者問到路透社關於三星HBM面臨過熱及功耗問題的報導時，黃仁勳僅說，「那裡面沒有故事。」
(圖片來源：三星電子)
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