美中貿易戰升溫以來，中國政府就意識到，美國最終會以「禁售令」殺手鐧；來對付中國企業。果不其然，美國商務部確認將中國華為及旗下 70 家子公司一同列入「實體管制名單」。像之前美國禁售中興通訊與福建晉華，美國企業未經許可下，不能與名單企業進行生意往來與服務。就中興通訊與福建晉華的結果來看，中興通訊同意了美方條件，並繳清罰金後才避免倒閉的命運，而福建晉華至今禁售令持續，公司處於停擺狀態，可見禁售令的殺傷力之大。
因美國禁售令的殺傷威力，使美中貿易爭端開始之際，中國就有人開始檢討，一旦美國禁售令實施，中方是否有自給自足的供應鏈可提供完整配套措施，以彌補美方禁售令的制裁。尤其，目前面臨美方禁售令的華為，是中國政府極力扶持，並且能在全球市場與其他國際性科技企業一搏的公司。針對這次美國對華為禁售令磨刀霍霍，中國也開始自給自足供應鏈計畫，尤其半導體產業更是關鍵。
根據外媒報導，在中國發展半導體產業自給自足供應鏈的方面，首先在 x86 架構，應用在 PC、伺服器等產品的處理器發展上，這部分至今為止依舊是英特爾（Intel）及 AMD 的天下，中國方面要想有取代的機會至今仍很困難。雖然，日前中國上海的兆芯積體電路發表了最新的 x86 架構處理器。
而這款處理器採用 16 奈米製程所打造，支援 SSE4.2 / AVX 擴展指令集，擁有最多 8 個 CPU核心，主頻最高3.0GHz，支持雙通道 DDR4 記憶體，最大容量可達 64GB。但處理器與英特爾及 AMD 主流以 10 奈米或 7 奈米製程打造，主頻能達 5.0GHz 以上仍相差甚遠。更何況 x86 的矽智財權授權也來自國外廠商。因此，要真正取代還有一段時間。
智慧手機關鍵的行動處理器，華為藉由台積電先進製程打造的麒麟（Kirin）處理器，目前已安裝於大多數華為智慧手機，效能也能與目前高通（Qualcomm）、三星（Samsung）、聯發科（Mediatek）等全球性處理器大廠一搏，性能就不在此多加敘述。
但是，打造行動處理器關鍵的晶圓代工先進製程，則決定著是否能到造出先進行動處理器的關鍵。目前，中國最大最先進的晶圓代工廠中芯國際，根據其所最新公布的財報顯示，2019 年第 1 季，最先進的製程 28 奈米不過占其總營收到的 3%，其營收來源多半來自 40 奈米到 65 奈米之間的產品貢獻。雖說，目前中芯國際皓程 2019 年將量產 14 奈米，而且號稱 12 奈米製程也進入客戶導入階段。但是相較台積電與三星已經開始量產 7 奈米製程，而且 5 奈米都已經在準備當中的情況，這方面中國要邁入自主階段，短期間並不容易。
提到半導體製程，就不得不提到其中引領先進製程進步的關鍵：光刻設備。在全球光刻設備中，在進入 10 奈米製程之後，荷蘭商 ASML 絕對是其中的霸主。不過，因為瓦森納協議（THE WASSENAAR ARRANGEMENT-DUAL-USE LIST-CATEGORY 3-ELECTRONICS）的關係，以及台積電、三星、英特爾等廠商早就將 ASML 有限的產能一掃而空，中國廠商要拿到先進的光刻機設備，就成為難上加難的狀況。所以，中國扶植自身光刻機廠商的發展，也就成為重點。
目前，中國有兩家光刻機發展廠商被產業投注大量期望。一是中微半導體，另一為北方華創。中微半導體方面，從 28 奈米之際就已經與台積電合作，之後一直延續到 10 奈米及 7 奈米製程。中國媒體曾報導，中微半導體自主研製的 5 奈米等離子體刻蝕機經台積電驗證，有機會導入全球首條 5 奈米產線。北方華創方面，在大基金扶持下，已經 14 奈米節點光刻設備的生產能力。一旦美國對華為禁售令持續，中國藉由扶植這兩家國產半導體設備來打破封鎖將會加速。
至於，在記憶體的方面，中國建有三大濟濟體生產基地，分別是武漢的長江存儲、合肥長鑫、福建晉華，這三大基地總投資規模預計超過 5,000 億人民幣。其中，長江存儲主要生產 3D NAND Flash，合肥長鑫、福建晉華則以生產 DRAM 為主。不過，就在 2018 年 10 月 29 日，美國對福建晉華開出了禁售令，限制美國企業賣產品給福建晉華之後，目前福建晉華幾乎呈現停擺的狀態，甚至有媒體報導，福建晉華甚至希望向美光和解，但遭到福建晉華的否認。
三大記憶體基地去掉福建晉華之後，中國政府將發展記憶體的重任放在長江存儲和合肥長鑫身上。長江存儲方面，雖然已經成功量產 64 層 NAND Flash，與三星的技術差距顯著縮小至 2 年左右。不過，根據消息人士透露，目前量產的數量不多，未來可能對中國國內的中低階產品應用產生影響，對高階市場衝擊不大。至於，長江存儲計劃在閃存技術上採取了跳躍式發展，64 層堆疊是未來兩年生產的主力，再下一代則會直接進入 128 層堆疊的情況。對此，目前市場仍在觀察當中。
合肥長鑫方面，則是專注 DRAM 研發、生產與銷售。根據合肥長鑫董事長兼執行長朱一明在日前表示，合肥長鑫最初技術來源是奇夢達（Qimonda），之後通過與國際大廠合作，持續投入研發超過 25 億美元，並不斷完善自身研發技術，目前已累積有 1 萬 6 千個專利申請，已持續投入晶圓量超過 15,000 片，之前規劃是 2019 年底達成月產能 2 萬片，以加速實現中國記憶體國產化目標。
只是，對於合肥長鑫的樂觀看法，外界則是有不同的意見。主要原因還是在於專利上，因為合肥長鑫是不是真的來自奇夢達，或奇夢達過去的技術能運用在當前的 DRAM 生產上，目前都抱持著懷疑看法。另外良率部分，外傳目前合肥長鑫生產的 DRAM 良率非常低，改善良率就成為關鍵。所以，如何在美國的限制下進一步改善良率，外界也在觀察。（本文由科技新報授權轉載，首圖來源：shutterstock）
