(一)公司簡介
1. 沿革與背景
博盛半導體股份有限公司成立於2014年4月,是由具備30年以上元件設計資歷之資深研發團隊所帶領開發,為專業功率半導體元件及功率積體電路設計公司,專精於功率半導體製程。公司經營功率半導體元件、電源管理積體電路及驅動(Power Management ICs & Driver ICs)及電源模組(Power Modules)的設計、研發、製造、銷售及整合,產品廣泛適用於消費、通訊、工業及汽車應用之領域。
2.營業項目與產品結構
公司產品涵括MOSFET、IGBT、FRED、Super Junction MOS、GaN/SiC等,目前可量產的產品規格已超過1,000個品項,電壓涵蓋範圍從最小的12V一直到最大電壓1,500V皆可量產出貨,完全滿足所有階層客戶需求。同時除了OSFET、Super Junction及IGBT等產品外,第三代半導體SiC及GaN也已開始提供樣品給客戶做試驗認證。
此外,公司深耕車用半導體市場已超過三年,舉凡車頭燈、車用儀表板、抬頭顯示器、車用無線充電模組、車用空調及車用小型馬達模組均已開始使用公司MOSFET產品。
(二)產品與競爭條件
1.產品與技術簡介
功率半導體元件是一種用於接受訊號控制來調節電壓並承受電流的半導體元件。這些元件在電力電子應用中扮演著重要角色,可以處理高電壓和高電流,並且能夠有效地轉換電能,例如電源供應器、變頻驅動器、電機控制器、太陽能逆變器等。其被廣泛使用於日常消費性產品(Consumer)、工業類產品(Industrial)、通訊類產品(Telecom)、醫療(Medical)及車用(Automotive)產品上。
主流上,功率分離式元件包含功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)、雙載子接面電晶體(Bipolar Transistor)及絕緣閘雙載子場效電晶體(IGBT)。
根據資料顯示,全球分離式功率元件的佔比仍以MOSFET為最大,其次是 IGBT。MOSFET加上第三代半導體的 SiC及 GaN將會是未來分離式功率元件的主流。
2. 重要原物料
公司主要業務為IC設計開發、應用服務及銷售,著重於產品之研發及市場銷售,故不做生產製造設備之投資。晶片之製造及測試均委由專業晶圓代工及封裝測試廠進行晶片生產、封裝及測試。
(三)市場銷售與競爭
1.銷售狀況
2023年銷售地區為內銷佔44%,外銷佔56%,其中亞洲佔51%,美洲佔5%。
2.國內外競爭廠商
主要競爭者包括國外的英飛凌(Infineon)、安森美(ON-Semi)、意法半導體(STM)、東芝(Toshiba)及瑞薩半導體(Renasas),國內的包括富鼎、杰力、大中、尼克森等。