影像感測元件為數位影像產品的光學感應裝置，其功能類似於傳統相機、攝影機的底片，主要分為兩種：CCD(Charge Coupled Device ， 電荷耦合元件) ， 及CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互補式金屬氧化半導體），應用於各種影音產品，包括數位相機、數位攝影機及影像掃描器等。CCD長期為日商所掌控，掌握高階應用市場，CMOS技術主導低階市場。
CCD主要材質為矽晶半導體，基本原理是透過光電效應，由感光元件表面感應來源光線，從而轉換成儲存電荷的能力，當快門開啟時，其影像的光線即照射在CCD 元件表面上，透過光電效應後，元件產生電荷，光線越強，電荷就越多，這些電荷就成為判斷光線強弱大小的依據，CCD是具有高解析度及高感度之特性的固態影像感測元件。
CMOS影像感測元件主要是利用矽和鍺這兩種元素所做成的半導體，共存正電與負電半導體，這兩個互補效應所產生的電流即可被處理晶片紀錄和解讀成影像，CMOS 優勢在於成本低，耗電需求少、便於製造，可以與影像處理電路同於一個晶片上。
下為CCD與CMOS就感光度、解析度、成本、雜訊、耗電量等之差異作比較：
．ISO 感光度： CMOS 每個畫素包含了放大器與A/D轉換電路，因此壓縮單一畫素的感光區域的表面積，在相同畫素與尺寸下，CMOS的感光度會低於CCD。
‧解析度差異：在第一點「感光度差異」中，因CMOS 每個畫素的結構比 CCD 複雜，其感光開口不及CCD大， 相對同尺寸的CCD與CMOS感光器，CCD感光器的解析度通常優於CMOS。
‧成本差異：CMOS為半導體製程，具備高度整合優勢，可將所有週邊功能整合在單晶片上，節省加工晶片所需的成本與良率損失，且隨著半導體製程技術提升，可提升其品質與性能。CCD結構較複雜，所以製程良率低，且須另闢傳輸通道及外加 ADC 等周邊，因此CCD的製造成本相對高。
‧耗電量差異：CMOS的影像電荷驅動方式為主動式，感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出；CCD為被動式， 必須外加電壓讓每個畫素中的電荷移動至傳輸通道，因此 CCD 的耗電量高於CMOS。
‧ 雜訊差異：CMOS每個感光二極體旁都搭配一個 ADC 放大器，如果以百萬畫素計，就需要百萬個以上的 ADC 放大器，但是每個放大器多少都有些微的差異，很難達到放大同步的效果，比單一個放大器的CCD，CMOS產生雜訊就比較多。
