(一)公司簡介
1.沿革與背景
台灣積體電路製造股份有限公司成立於1987年2月21日,為全球最大的專業積體電路(IC)製造服務公司,其經營策略為只提供客戶專業積體電路之製造技術服務,而不設計、生產、或銷售自有品牌產品,不與客戶做商品之競爭。
公司首創建置資訊平台—虛擬晶圓廠(Virtual Fab),提供整套服務,客戶亦可從晶圓廠、封裝廠到測試廠整個供應鏈掌握訂單進度。
公司於1994年9月5日上市,其ADR於1997年10月8日在NYSE掛牌,股票代碼為TSM。
公司於2023年7月28日啟用位於竹科寶山的全球研發中心。
公司將於德國慕尼黑設立晶片設計中心,預計於2025年Q3正式啟用。
2.營業項目與產品結構
業務範圍涵蓋IC製造服務及其相關項目,提供包括晶圓製造、光罩製作、晶圓測試與錫鉛凸塊封裝及測試等客戶支援服務。
2025年Q1製程比重為3奈米22%、5奈米36%、7奈米15%、16/20奈米7%、28奈米7%、40/45奈米3%、65奈米4%、90奈米1%、0.11/0.13微米2%、0.15/0.18微米3%;技術平台比重為高效能運算59%、智慧型手機28%、物聯網5%、車用電子5%、消費性電子1%、其他2%。
產品圖:

圖片來源:公司網站
(二)產品與競爭條件
1.產品與技術簡介
台積電在技術及產能均居產業領導地位,是全球第一家有能力量產40奈米以下技術的晶圓代工廠,其40奈米規模與良率優於同業,40奈米佔全球8~9成市佔,28/20奈米生產時程至少領先同業三季以上。
(1)邏輯製程技術
・TSMC A16TM技術
・2奈米(N2)技術
・3奈米鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor, FinFET)(N3)技術
・N3增強型(N3 Enhanced,N3E)技術
・N3強效版(N3P)技術
・N3X技術
・4奈米FinFET(N4)技術
・N4強效版(N4P)技術
・N4精簡型強效版(N4C)技術
・N4X製程技術
・5奈米FinFET強效版(N5 Plus,N5P)技術
・6奈米FinFET(N6)技術
・N6超低功耗(Ultra Low Power,ULP)技術-N6e™
・7奈米FinFET(N7)及7奈米FinFET強效版(N7+)技術
・奠基於12奈米FinFET精簡型強效版(12nm FinFET Compact Plus, 12FFC+)的N12e™技術
・22奈米超低漏電(Ultra-Low Leakage, ULL)(22ULL)技術
(2)特殊製程技術
・N3A 0.9版製程
・N4C射頻(Radio Frequency, RF)技術
・5奈米FinFET車用(N5A)技術
・第二代N6RF(N6 RF+)技術
・12FFC+射頻技術
・16奈米FinFET精簡型(16nm FinFET Compact, 16FFC) 射頻增強版(Enhancement III)技術
・N12e® RRAM
・28奈米超低漏電(28ULL)電阻式隨機存取記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)技術
・28奈米高壓製程
・十二吋晶圓40奈米絕緣層上覆矽(40nm Silicon On Insulator, N40SOI)技術
・80奈米技術
・先進40奈米雙載子–互補式金屬氧化半導體–擴散金屬 氧化半導體(Bipolar-CMOS-DMOS, BCD)技術
・90奈米BCD技術
・0.13微米BCD技術
・第二代六吋矽基板氮化鎵(Gallium Nitride on Silicon, GaN)開關元件技術
・互補式金氧半導體影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)技術
・COUPE(Compact Universal Photonics Engine)三維立體光子堆疊技術
(3)TSMC 3DFabric®
・TSMC-SoIC®(系統整合晶片)晶片對晶圓(Chip on Wafer, CoW)堆疊技術
・TSMC-COUPETM(緊湊型通用光子引擎)
・CoWoS®(Chip on Wafer on Substrate)
・CoWoS®-R(Chip on Wafer on Substrate with Redistribution Layer Interposer)技術
・CoWoS®-L技術
・TSMC-SoWTM(System on Wafer)系統級晶圓技術
・多晶片整合型扇出層疊封裝(Integrated Fan-Out Multi-Chips with Package-on-Package, InFO_M_PoP)技術
・細小間距陣列銅凸塊(Cu Bump)技術
2.重要原物料
公司產品所需之原物料包括矽晶圓、製程用化學原料、黃光製程材料、氣體,以及研磨液、研磨墊、鑽石碟等。
3.主要生產據點
尺寸 |
廠房 |
生產據點 |
十二吋超大晶圓廠 |
Fab 12A |
竹科 |
Fab 12B |
竹科 |
Fab 14 |
南科 |
Fab 15 |
中科 |
Fab 16 |
江蘇省南京市 |
Fab 18A |
南科 |
Fab 18B |
南科 |
Fab 20A |
竹科(預計2025年量產) |
Fab 20B |
竹科(預計2028年量產) |
Fab 21 |
美國亞利桑那州 |
Fab 22A |
高雄楠梓(預計2026年量產) |
Fab 22B |
高雄楠梓(預計2027年量產) |
Fab 23(JASM) |
日本熊本 |
Fab 24(ESMC) |
德國德勒斯登(預計於2027年Q4量產) |
Fab 25 |
台中(預計2025年底動工) |
八吋晶圓廠 |
Fab 3 |
竹科 |
Fab 5 |
竹科 |
Fab 6 |
南科 |
Fab 8 |
竹科 |
Fab 10 |
上海市松江區 |
Fab 11 |
美國華盛頓州 |
六吋晶圓廠 |
Fab 2 |
竹科 |
後段封測廠 |
先進封測一廠 |
竹科 |
先進封測二廠 |
南科 |
先進封測三廠 |
桃園龍潭 |
先進封測五廠 |
中科 |
先進封測六廠 |
苗栗竹南 |
先進封測七廠 |
嘉義科學園區(預計2026年完工、2028年投產) |
先進封測八廠 |
南科(原群創南科4廠,已於2025年Q1裝機試產、預計2025年下半年投產) |
2020年5月公司宣布將於美國亞利桑那州設廠,投資總額達400億美元,新廠主要生產5奈米製程技術半導體晶片,2021年動工,一廠N4製程於2024年底量產。第二期工程預計2026年量產3奈米製程。
2021年11月公司與Sony Semiconductor Solutions Corporation共同宣布,雙方將合作在日本熊本縣興建一座晶圓廠「Japan Advanced Semiconductor Manufacturing(JASM)」,其中Sony Semiconductor Solutions將出資約5億美元、取得JASM不到20%的股權。而2022年2月DENSO投資3.5億美元取得JASM超過10%的股權。JASM熊本廠資本支出由原先70億美金提高到86億美元,提供22/28奈米製程及12/16奈米鰭式場效製程,於2022年4月開始興建,2024年底量產。公司規劃於2025年內在熊本縣菊陽町興建第二座工廠,總投資約1兆日圓,用於生產12奈米晶片,預計2027年底量產。
2021年11月公司決議將在高雄設廠,設立生產7奈米及28奈米製程的晶圓廠,2022年10月宣布調整產能規劃,優先切入28奈米,2023年7月調整為2奈米廠,預計2025年量產。
2023年8月宣布與Infineon、NXP及Bosch合資成立歐洲半導體製造公司(ESMC),在德國德勒斯登興建12吋晶圓廠,切入28奈米生產車用相關晶片,該廠預計於2027年底前量產。
公司於2024年8月以171.4億元購買群創南科5.5代面板廠(南科4廠)廠房及附屬設施,預定2024年11月點交,已於2025年Q1裝機試產、預計2025年下半年投產,將納入晶圓代工與3D IC,初期建置以CoWoS產能為主。
公司於2025年3月宣布將在美國興建三座晶圓廠、二座先進封裝廠及一座研發中心。
(三)市場銷售及競爭
1.銷售狀況
公司主要服務客群為無晶圓廠設計公司、整合元件製造廠,客戶包含AMD、Amazon、Broadcom、Intel、聯發科、NVIDIA、NXP Semiconductors、Qualcomm、Renesas Electronics、Sony Semiconductor Solutions、STMicroelectronics等。
2.國內外競爭廠商
晶圓代工業務競爭對手包含SAMSUNG ELEC、中芯國際、聯電、GlobalFoundries、華虹半導體、Tower Semiconductor、力積電、晶合集成等公司。