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前導晶片低溫二相磊晶成長法
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前導晶片低溫二相磊晶成長法
即是在低溫二相磊晶成長法之基板前方,放置一片砷化錠晶片,此晶片我們稱之為前晶片,其目的是在降低磊晶溶液內的過飽和度,進而降低短時間成長效應。
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