無錫新潔能股份有限公司(605111.SH)總部位於江蘇無錫，主要從事半導體功率器件的研發與銷售，產品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V遮罩柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關核心技術已獲得多項專利授權，四大系列產品均獲得江蘇省高新技術產品認定。
公司為大陸境內領先的半導體功率器件設計企業之一，主營業務為 MOSFET、IGBT 等半導體晶片和功率器件的研發設計及銷售，公司銷售的產品按照是否封裝可以分為晶片和功率器件。公司是專業化垂直分工廠商，晶片主要由公司設計方案後交由晶片代工企業進行生產，功率器件主要由公司委託外部封裝測試企業對晶片進行封測代工而成，公司已初步完成先進封裝測試生產線的建設，將少部分晶片自主封裝後對外銷售。
公司基於全球半導體功率器件先進理論技術開發領先產品，是國內率先掌握超結理論技術，並量產遮罩柵功率 MOSFET 及超結功率 MOSFET 的企業之一，是國內最早同時擁有溝槽型功率 MOSFET、超結功率 MOSFET、遮罩柵功率MOSFET 及 IGBT 四大產品平臺的本土企業之一，為國內 MOSFET 等功率器件市場佔有率排名前列的本土企業。
半導體分立器件行業發展現狀
半導體分立器件是電力電子產品的基礎之一，也是構成電力電子變化裝置的核心器件之一，主要用於電力電子設備的整流、穩壓、開關、混頻等，具有應用範圍廣、用量大等特點，在消費電子、汽車電子、電子儀器儀錶、工業及自動控制、電腦及周邊設備、網路通訊等眾多國民經濟領域均有廣泛的應用。從細分市場來看，半導體分立器件受惠於智能製造、電力改造、電子通訊升級、互聯網等普及的趨勢，其市場也逐步向高端推進。
產品介紹
MOSFET：金屬-氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數位電路的場效電晶體，具有導通電阻小，損耗低，驅動電路簡單，熱阻特性好等優點，特別適合用於電腦、手機、移動電源、車載導航、電動交通工具、UPS 電源等電源控制領域。
IGBT：絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的複合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和雙極型三極管（BJT）的低導通壓降兩方面的優點，IGBT驅動功率小而飽和壓降低，非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等。
目前全球半導體分立器件中高端產品生產廠商主要集中在歐美、日本和中國台灣。大陸半導體分立器件行業的整體實力與上述地區仍有較大差距，仍需從國外進口大量的特別是高端的半導體分立器件產品。
上下游行業及其關聯性
半導體分立器件行業產業鏈包括晶片設計、晶片製造、封裝測試、對外銷售等環節。從產業鏈環節看，分立器件的設計屬於產業鏈的前端。公司是專業化垂直分工廠商，上游供應商主要為晶片代工企業和封裝測試企業，晶片由公司提供設計方案、材料規格、製造工藝流程及測試規範給晶片代工企業進行代工生產，功率器件主要由公司委託外部封裝測試企業對晶片按公司提供的封裝測試規格要求進行封裝測試而成。公司下游為消費電子、汽車電子、工業電子、新能源汽車/充電樁、智能裝備製造、物聯網、光伏新能源等應用領域。
