MoneyDJ新聞 2025-02-25 12:05:20 記者 周佩宇 報導
旺宏(2337)今(25)日宣布，與國家研究院攜手投入全新3D DRAM技術開發，欲以新材料和新製程方式突破高頻寬記憶體(HBM)僅能達到16層堆疊的瓶頸，且3D DRAM冀能實現記憶體內運算，與HBM近記憶體計算(near-memory computing)不同，能縮短資料傳輸路徑，進一步提升系統整體運算效能。
此次合作中，旺宏發揮了在3D NOR與3D NAND FLASH技術上的研發經驗，運用其Bit-Cost Scalable專利製程，透過將多層記憶體電流通道垂直堆疊後一次性蝕刻，簡化製程步驟、縮短製作時間並降低成本。國研院則強調提供低溫製造技術，有效避免在上層製程時因熱影響下層元件，冀能在該領域快速布局、縮短研發曲線。
此外，3D DRAM將採用無電容結構，不使用體積較大的電容，而是以兩顆氧化銦鎵鋅(IGZO)電晶體串聯，直接在電晶體間儲存0與1的訊號。這項設計使得記憶體尺寸更小，層與層之間得以更緊密堆疊，同時利用IGZO的寬能隙特性，有效降低訊號流失風險，延長資料保存時間，減少能耗並提升耐久度。
業界記憶體大廠也積極投入3D DRAM的研發，不過旺宏提到，公司投入此項研發有領先插旗的意義，目標是先做概念性驗證，實際量產化仍有不少挑戰，還需一段時間觀察。
(圖片來源:記者拍攝)
